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Universidade Federal da Paraíba
Centro de Informática
Programa Pós-Graduação em Informática
Disciplina: Organização e Arquitetura de Computadores.
Resenha: Unidade 1.
Aluna: Priscilla Kelly M. Vieira.
Futuro dos transistores
Cada vez mais almeja-se que os processadores tenham maior velocidade na execução de suas tarefas e um menor gasto de energia. Com este objetivo, diversas pesquisas focam na tecnologia dos transistores (principais componentes do processador), para que estes possam ser posicionados cada vez mais próximos uns dos outros com a menor interferência e dissipação de calor possível.
Ao longo dos anos a evolução dos processadores, em média, seguiu a “Lei de Moore”, como afirmado por Shekhar Borkar e Andrew A. Chien em The future of Microprocessors, no entanto, nos últimos anos a arquitetura atual está chegando ao seu limite de desempenho. Diante disto, pesquisas que propõem mudanças na substância base do transistor e transistores com o conceito de tridimensionalidade estão sendo impulsionadas.
Recentemente a Intel divulgou os transistores 3D, os chamados Tri-Gate, que estão sendo usados na tecnologia 22nm dos seus processadores. Em suma, a fluxo de corrente é aumentado com a inserção de uma terceira porta no silício tridimensional. Esta mudança acelera as mudanças de estado, aumentando o desempenho e atenuando o gasto de energia. Com esta mudança foi possível aproximar ainda mais os transistores, elevando o desempenho, que até então já estavam no seu limite.
Ainda na vertente de melhoria tecnológica dos transistores, alguns estudos indicam o uso do Grafeno na fabricação dos transistores. De acordo com Mihir Choudhury no trabalho entitulado Technology exploration for graphene nanoribbon FET, com o grafeno é possível transmissões com quase zero de ruído, o que é de extrema importância na construção de circuitos integrados. Em Control of Graphene’s Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane, Danel Elias entre outros aurores, especificam as propriedades do Grafeno e indicam sua superioridade de velocidade em relação ao silício, substância largamente utilizada nos transistores atuais.
Diante da exigência do mercado por dispositivos portáteis e cada vez mais poderosos, a tendência é que pesquisas em torno dos transistores tornem-se cada vez mais fortes e críticas, respeitando, ou não, o limite físico da matéria.